ADRF5030BCCZN是一款非反射式單刀雙擲 （SPDT） 開關，采用絕緣體上硅（SOI）工藝制造。ADRF5030BCCZN的工作頻率范圍為 100 MHz 至 20 GHz，其插入損耗低于 1.2 dB，隔離度高于 45 dB。此外，ADRF5030BCCZN采用互補金屬氧化物半導體 （CMOS） 和低壓晶體管到晶體管邏輯 （LVTTL） 兼容控制。

主要特性

寬帶頻率范圍：100 MHz 至 20 GHz

非反光 50 Ω設計

低插入損耗

0.1 GHz 至 6 GHz 之間為 0.7 dB（典型值）

6 GHz 至 12 GHz 之間為 0.9 dB（典型值）

1.2 dB（典型值），最高 20 GHz

高隔離度

100 MHz 至 6 GHz 之間為 55 dB（典型值）

6 GHz 至 12 GHz 之間為 50 dB（典型值）

高達 20 GHz 時為 45 dB（典型值）

高輸入線性度

P0.1dB：>36 dBm（典型值）

IP3：>60 dBm（典型值）

高 RF 功率處理能力

直通路徑：36 dBm 峰值/33 dBm 平均值

端接路徑：36 dBm 峰值/33 dBm 平均值

熱切換：36 dBm 峰值/33 dBm 平均值

兼容 CMOS/LVTTL

無低頻雜散;無負電壓發(fā)生器

RF 開關時間：70 ns

RF 建立時間 （0.1 dB）：95 ns

單電源工作能力（VDD = 3.3 V，VSS = 0 V）

20 引腳、3 mm × 3 mm、LGA 封裝

引腳與 ADRF5022 和 ADRF5026 兼容

ADRF5030BCCZN適用于多種應用場景，包括：

測試儀器

軍用無線電、雷達、電子對抗措施 （ECM）

微波無線電和甚小孔徑終端 （VSAT）

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